[发明专利]功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210352599.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103545369A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一具有一第一导电型的基材；一半导体层，设在所述基材上，所述半导体层具有第一导电型；多个交替排列的第一导电型掺杂沟槽及第二导电型掺杂沟槽；一第一导电型扩散区，位于各所述第一导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中；以及一第二导电型扩散区，位于各所述第二导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中，其中所述第一导电型扩散区及所述第二导电型扩散区之间构成一PN结，且PN结与所述第一导电型掺杂沟槽的距离等于所述PN结与所述第二导电型掺杂沟槽的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包含有：一基材，具有一第一导电型；一半导体层，设在所述基材上，所述半导体层具有所述第一导电型；多个交替排列的第一导电型掺杂沟槽及第二导电型掺杂沟槽；一第一导电型扩散区，位于各所述第一导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中；以及一第二导电型扩散区，位于各所述第二导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中，其中所述第一导电型扩散区及所述第二导电型扩散区之间构成一PN结，且所述PN结与所述第一导电型掺杂沟槽的距离等于所述PN结与所述第二导电型掺杂沟槽的距离。
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