[发明专利]一种复合靶真空表面镀膜工艺无效
| 申请号： | 201210352694.6 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103668087A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 袁萍 | 申请（专利权）人： | 无锡慧明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及表面处理技术领域，尤其是指一种复合靶真空表面镀膜工艺。该镀膜工艺选取钛铬合金作为靶材，在真空环境下完成，其中，真空环境的真空度要求为0.2～0.9Pa，温度为0～300℃，靶电流为0～100A，脉冲偏压为0～200V，反应气体为氩气；所述钛铬合金靶材，其组分按重量比为：40～85％的钛、10～55％的铬，余量为微量元素，所述微量元素为钼、镍、铁、碳、锰、硅、氮、铜、铝、钒中的一种或多种。本发明工艺简单，科学合理，投资成本低，且操作运行简便，大大提高了真空离子镀膜的运行率和可操作性，迎合新型材料生产，可使产品表面获得色泽鲜艳的金色，镀膜色泽均匀、表面硬度高、耐磨性好、抗氧化性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 真空 表面 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种复合靶真空表面镀膜工艺，其特征在于：该镀膜工艺选取钛铬合金作为靶材，在真空环境下完成，其中，真空环境的真空度要求为0.2～0.9Pa，温度为0～300℃，靶电流为0～100A，脉冲偏压为0～200V，反应气体为氩气。
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