[发明专利]平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件在审

专利信息
申请号: 201210353078.2 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103681547A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 高占成 申请(专利权)人: 北京新创椿树整流器件有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/06;H01L29/739
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102606 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件,包括IGBT芯片,还包括芯片模架和陶瓷制成的壳体,壳体上沿垂直方向设有芯片安装孔,芯片模架上设有芯片卡装沉槽,IGBT芯片固定在芯片模架上的芯片卡装沉槽内,芯片模架固定在芯片安装孔内的中部,所述芯片模架的上方设有作为IGBT发射极的上引出电极板,上引出电极板采用金属材料制成,上引出电极板安装在芯片安装孔内的上部,上引出电极板的下端面与IGBT芯片上的发射极的电路端口相贴。其目地在于提供一种体积小,结构紧凑,散热性能好,使用寿命长,故障发生率低,可靠性高,使用方便的平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件。
搜索关键词: 平板 封装 压接式 引出 电极 绝缘 栅双极型 晶体管 元件
【主权项】:
平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件,包括IGBT芯片(1),其特征在于:还包括芯片模架(2)和陶瓷制成的壳体(3),壳体(3)上沿垂直方向设有芯片安装孔(4),所述芯片模架(2)上设有芯片卡装沉槽,所述IGBT芯片(1)固定在芯片模架(2)上的芯片卡装沉槽内,所述芯片模架(2)固定在所述芯片安装孔(4)内的中部,所述芯片模架(2)的上方设有作为IGBT发射极的上引出电极板(5),上引出电极板(5)采用金属材料制成,上引出电极板(5)安装在所述芯片安装孔(4)内的上部,上引出电极板(5)的下端面与所述IGBT芯片(1)上的发射极的电路端口相贴;所述芯片安装孔(4)内位于所述芯片模架(2)的下方设有设有门极模架(6),门极模架(6)上设有门极线,门极线与所述IGBT芯片(1)上的门极的电路相连;所述芯片安装孔(4)内位于所述门极模架(6)的下方设有设有作为IGBT集电极的下引出电极板(7),下引出电极板(7)采用金属材料制成,下引出电极板(7)的上端面与所述IGBT芯片(1)上的集电极的电路端口相贴。
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