[发明专利]一种铜互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201210353210.X | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103000575A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连结构及其形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽底部，侧壁及所述介质层表面形成一层钌扩散阻挡层；在表面形成有钌扩散阻挡层的所述沟槽内填充金属铜；去除所述沟槽外的钌扩散阻挡层及金属铜。本发明通过采用新型材料制备扩散阻挡层，减薄了扩散阻挡层厚度，降低了薄膜电阻率，同时实现了铜的无籽晶层电镀，简化了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽底部，侧壁及所述介质层表面形成一层钌扩散阻挡层；在表面形成有钌扩散阻挡层的所述沟槽内填充金属铜；去除所述沟槽外的钌扩散阻挡层及金属铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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