[发明专利]一种基于源极退化电容的宽锁定范围电流模锁存分频器有效
申请号: | 201210353242.X | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103684424B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 李巍;周涵超;牛杨杨;李宁;任俊彦 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H03K23/42 | 分类号: | H03K23/42 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙)31268 | 代理人: | 吴桂琴 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,具体涉及一种应用于无线接收机集成电路中的高频高速电流模锁存分频器(Current‑mode Latched Frequency Divider,CML‑FD)的设计。一方面,通过在分频器的交差耦合管源极引入电容阵列提高分频器的工作频率;另一方面,通过改变负载MOS管的栅极电压大小,实现分频器的负载变化。通过这种设计,电流模锁存分频器可以实现较高速以及较宽的工作频率范围,并具有一定的可重构性,且节省芯片的面积,适用于多模可重构频率综合器。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 退化 电容 锁定 范围 电流 模锁存 分频器 | ||
【主权项】:
一种基于源极退化电容的电流模锁存分频器,其特征在于,其由两个相同结构的锁存器构成,每一个锁存器均包括:(1)两个由PMOS管构成的可变负载;(2)一个对分频器自谐振频率进行调谐的可变电容阵列;所述的可变电容阵列由偏置在三个偏置点的累积型MOS电容组成,具有线性化功能;所述的偏置由大阻值电阻进行隔离;(3)一个由2个NMOS管交叉耦合连接而成的负阻产生器;(4)两个改变锁存器动态电平的驱动管;(5)三个由外部差分时钟信号驱动的开关管;(6)为有源器件提供偏置电流,且电流值可变的偏置电流源阵列;所述的电流模锁存分频器中,通过驱动管的耦合实现正交信号的输出;所述的电流模锁存分频器中的负阻管的偏置电流由电流源阵列组成,用开关控制其栅极电压控制其通断;所述的电流模锁存分频器中的耦合管的偏置电流由电流源阵列组成,用开关控制其栅极电压控制其通断。
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