[发明专利]具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201210353409.2 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102832309A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有四方环状结构反射层的氮化镓基发光二极管，其为台阶结构，具有衬底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成在所述n型GaN层上；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层。其中，所述p型GaN层的上表面形成有四方环状结构的反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 四方 环状 结构 反射层 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有氮化镓基发光二极管，所述发光二极管为台阶结构，其具有衬底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成在所述n型GaN层上；其特征在于：所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层；所述p型GaN层的上表面形成有反射层；所述反射层为四方环状结构。
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