[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210353412.4 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103022105A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁;宫岛丰生;多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层上的第二半导体层；设置在第二半导体层上的下绝缘膜；设置在下绝缘膜上的p型导电氧化物膜；设置在氧化物膜上的上绝缘膜；和设置在上绝缘膜上的栅电极，其中在栅电极下方的下绝缘膜具有凹陷部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的第二半导体层；设置在所述第二半导体层上的下绝缘膜；设置在所述下绝缘膜上的p型导电氧化物膜；设置在所述氧化物膜上的上绝缘膜；和设置在所述上绝缘膜上的栅电极，其中在所述栅电极下方的所述下绝缘膜具有凹陷部分。
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