[发明专利]具有集成霍尔传感器的半导体装置有效
| 申请号： | 201210353852.X | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022028A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | H.安格雷尔;L.格尔根斯;F.希尔勒;G.波佐维沃;W.里格尔;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有集成霍尔传感器的半导体装置。一种半导体装置包括半导体本体和半导体器件，该半导体器件包括在半导体本体的第一方向上彼此远离布置的第一和第二负载端子以及在第一和第二负载端子之间的半导体本体中布置的负载路径。该半导体装置进一步包括至少一个霍尔传感器，其在与第一方向垂直的第二方向上远离半导体器件布置在半导体本体中。霍尔传感器包括两个电流提供端子和两个测量端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 霍尔 传感器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体本体；半导体器件，包括在所述半导体本体的第一方向上彼此远离布置的第一负载端子和第二负载端子以及在所述第一负载端子和第二负载端子之间的所述半导体本体中布置的负载路径；以及至少一个霍尔传感器，在与所述第一方向垂直的第二方向上远离所述半导体器件布置在所述半导体本体中并且包括两个电流提供端子和两个测量端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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