[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210356066.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681340B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；在所述栅极材料层上形成硬掩膜层，并图案化所述硬掩膜层以形成用于蚀刻所述栅极材料层的图形；执行离子注入，以调整所述栅极材料层的功函数；在所述硬掩膜层的两侧形成侧壁结构，并在所述侧壁结构下方的栅极材料层中形成可变功函数区；以所述侧壁结构为掩膜，蚀刻所述栅极材料层和所述栅极介电层以在所述半导体衬底上形成两侧具有所述可变功函数区的栅极结构；去除所述栅极结构顶部的所述侧壁结构和所述硬掩膜层。根据本发明，在抑制短沟道效应的同时，所形成的器件结构不影响MOSFET的其它电性参数的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；在所述栅极材料层上形成硬掩膜层，并图案化所述硬掩膜层以形成用于蚀刻所述栅极材料层的图形；执行一离子注入，在所述硬掩膜层两侧的栅极材料层中注入掺杂离子以调整所述栅极材料层的功函数；在所述硬掩膜层的两侧形成侧壁结构，并在所述侧壁结构下方的栅极材料层中形成可变功函数区；以所述侧壁结构为掩膜，蚀刻所述栅极材料层和所述栅极介电层以在所述半导体衬底上形成两侧具有所述可变功函数区的栅极结构；去除所述栅极结构顶部的所述侧壁结构和所述硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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