[发明专利]一种磁随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种磁随机存取存储器及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明提供的磁随机存取存储器，通过增加在金属线、对准标记和交叠标记的上方形成保护层的步骤，有效防止了、对准标记和交叠标记被氧化，提高了制造的器件的性能和良率。而本发明提供的磁随机存取存储器，通过在磁随机存取存储器的结构中，在金属线、对准标记和交叠标记的上方形成保护层，有效防止了对准标记和交叠标记被氧化，提高了器件的性能和良率。

主权项

一种磁随机存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供前端器件，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区；步骤S102：在所述前端器件上形成覆盖所述金属线的金属线保护层、覆盖所述对准标记的对准标记保护层、覆盖所述交叠标记的交叠标记保护层，其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料均为透明导电材料；步骤S103：在所述前端器件上形成平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间；步骤S104：在所述前端器件的核心区形成磁隧道结，所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接。