[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210356628.6 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103456737A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;皮昇浩;田锡旼 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一源极层；至少一个第二源极层，所述第二源极层大体形成在第一源极层中；多个导电层，所述多个导电层大体层叠在第一源极层之上；沟道层，所述沟道层穿通多个导电层且与第二源极层耦接；以及至少一个第三源极层，所述第三源极层大体形成在第二源极层中，其中，所述第三源极层穿通第二源极层且与第一源极层耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一源极层；至少一个第二源极层，所述第二源极层大体形成在所述第一源极层中；多个导电层，所述多个导电层大体层叠在所述第一源极层之上；沟道层，所述沟道层穿通所述多个导电层且与所述第二源极层耦接；以及至少一个第三源极层，所述第三源极层大体形成在所述第二源极层中，其中，所述第三源极层穿通所述第二源极层且与所述第一源极层耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
