[发明专利]半导体芯片和半导体封装件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210356842.1 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021987A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 崔朱逸;朴正祐;秦正起;金炯奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体芯片、半导体器件、半导体封装件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底和穿过该衬底的通路。该通路在其第一端具有从所述衬底的第一表面延伸出来的凸出部分，并且该通路的第二端与邻近所述衬底的相对的第二表面的互连线接触。浸润层位于所述通路与所述衬底之间并且在所述通路的凸出部分上延伸。所述浸润层包括这样的材料，该材料选择成在焊球耦接到在所述通路的凸出部分上延伸的所述浸润层时提高所述浸润层与接触所述浸润层的焊球之间的粘合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；穿过所述衬底的通路，该通路在其第一端具有从所述衬底的第一表面延伸出来的凸出部分，并且该通路的第二端与邻近所述衬底的相对的第二表面的互连线接触；以及浸润层，其位于所述通路与所述衬底之间并且在所述通路的凸出部分上延伸，其中所述浸润层包括这样的材料，该材料选择成在焊球耦接到在所述通路的凸出部分上延伸的所述浸润层时提高所述浸润层与接触所述浸润层的焊球之间的粘合强度。
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