[发明专利]集成电路及制造方法有效

专利信息
申请号: 201210357184.8 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103021982B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 伯纳多·加列戈斯;艾布拉姆·卡斯特罗 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王璐
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文揭示集成电路和制造集成电路的方法。集成电路的一个实施例包含具有侧的裸片,其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸。具有第一侧和第二侧的电介质层位于接近所述裸片的所述侧处,以使所述电介质层的第一侧邻近于所述裸片的所述侧。所述导电螺柱延伸进所述电介质层的第一侧。第一通孔在所述导电螺柱与所述电介质层的第二侧之间延伸。具有第一侧和第二侧的导电层位于邻近于所述电介质层的第二侧处,其中所述导电层的第一侧位于邻近于所述电介质层的第二侧处。所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
搜索关键词: 集成电路 制造 方法
【主权项】:
1.一种电路,其包括:具有侧的裸片,其中导电螺柱直接贴至所述裸片,并且相对于所述侧延伸一个高度;第一电介质层,其具有第一侧和第二侧,其中所述第一电介质层的所述第一侧位于接近所述裸片的所述侧处,以使所述导电螺柱从所述第一侧刺进所述第一电介质层;第一通孔,其在所述导电螺柱与所述第一电介质层的所述第二侧之间延伸;以及导电层,其具有第一侧和第二侧,其中所述第一侧位于邻近于所述第一电介质层的所述第二侧处,所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
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