[发明专利]集成电路及制造方法有效
申请号: | 201210357184.8 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103021982B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 伯纳多·加列戈斯;艾布拉姆·卡斯特罗 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王璐 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文揭示集成电路和制造集成电路的方法。集成电路的一个实施例包含具有侧的裸片,其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸。具有第一侧和第二侧的电介质层位于接近所述裸片的所述侧处,以使所述电介质层的第一侧邻近于所述裸片的所述侧。所述导电螺柱延伸进所述电介质层的第一侧。第一通孔在所述导电螺柱与所述电介质层的第二侧之间延伸。具有第一侧和第二侧的导电层位于邻近于所述电介质层的第二侧处,其中所述导电层的第一侧位于邻近于所述电介质层的第二侧处。所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电路,其包括:具有侧的裸片,其中导电螺柱直接贴至所述裸片,并且相对于所述侧延伸一个高度;第一电介质层,其具有第一侧和第二侧,其中所述第一电介质层的所述第一侧位于接近所述裸片的所述侧处,以使所述导电螺柱从所述第一侧刺进所述第一电介质层;第一通孔,其在所述导电螺柱与所述第一电介质层的所述第二侧之间延伸;以及导电层,其具有第一侧和第二侧,其中所述第一侧位于邻近于所述第一电介质层的所述第二侧处,所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
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