[发明专利]优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法在审
| 申请号： | 201210358990.7 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103680612A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;姚翔;辛吉升;曹刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，在不同温度下进行芯片测试时，把每一个正常的芯片的电可擦写非易失性存储器电路工作参数设置成目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别写入所述存储器电路内的某组特定地址中，每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的偏移修正值。在芯片正常工作时，通过温度传感电路读取芯片温度，分别调用相应温度区间存储代码的地址组内的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述存储器的读写参数进行设定，使得在工作温度区间内电可擦写非易失性存储器的工作参数均能接近目标值，减小了不同芯片间不同工作温度下嵌入式电可擦写非易失性存储器集成电路的读写特性差异。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 擦写 非易失性存储器 读写 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：在不同温度区间进行芯片读写测试，把每一个正常的电可擦写非易失性存储器工作参数的目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别储存在所述电可擦写非易失性存储器电路内的某组特定地址中，使每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的目标值的偏移修正值，在所述电可擦写非易失性存储器正常工作时，通过温度传感电路读取存储器芯片温度，并调用该工作温度所对应温度区间内代码地址组内的的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得不同电可擦写非易失性存储器在工作温度区间内的工作参数均能更接近目标值。
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