[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201210359233.1 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103367110B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘明 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 聂宁乐,向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，基板处理方法包括冲洗工序，对硅基板的表面供给第一温度的水，利用该水对所述硅基板的表面实施冲洗处理；第二温度水供给（涂敷）工序，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水；干燥工序，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，包括：冲洗工序，对硅基板的表面供给第一温度的水，利用该第一温度的水对所述硅基板的表面实施冲洗处理，第二温度水供给工序，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水，干燥工序，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥；所述第一温度是常温，所述第二温度是5～10℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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