[发明专利]一种二硫化锡插层化合物及其水热合成方法有效
| 申请号： | 201210359380.9 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102838161A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 宰建陶;钱雪峰;韩倩琰;李波;徐淼;黄守双;肖映林;梁娜 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二硫化锡插层化合物及其水热合成方法，该插层化合物以二硫化锡为主体，以十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或两种为插层客体，十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮进入到二硫化锡层间，通过水热合成法合成得到上述插层化合物。与现有技术相比，本发明具有工艺简单，生产成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 锡插层 化合物 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化锡插层化合物，其特征在于，该插层化合物以二硫化锡为主体，以十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或两种为插层客体，十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮进入到二硫化锡层间，扩大二硫化锡层间距。
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