[发明专利]一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法有效
| 申请号： | 201210359573.4 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102928773A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王群勇;冯颖;阳辉;陈冬梅;刘燕芳;白桦;陈宇 | 申请（专利权）人： | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/303 | 分类号： | G01R31/303 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法。包括以下步骤：第一步准备待测验器件；第二步进行质子诱发的单粒子翻转检测SEU，获得器件位的翻转情况；第三步进行质子诱发的单粒子闩锁检测SEL，获得器件的电流和功耗；第四步根据所述翻转数据和器件的电流和功耗进行试验数据的处理分析，获得器件的抗质子单粒子效应能力。采用该方法可以更真实有效地模拟出空间辐射环境对宇航用半导体器件的单粒子效应，准确灵敏的获得器件的抗质子单粒子效应能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测验 器件 质子 粒子 效应 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法，其特征在于，该方法包括步骤：S1准备待测验器件；S2进行质子诱发的单粒子翻转检测SEU，获得器件位的翻转数据；S3进行质子诱发的单粒子闩锁检测SEL，获得器件的电流和功耗；S4根据所述翻转数据和器件的电流和功耗进行试验数据的处理分析，获得器件的抗质子单粒子效应能力。
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