[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210359880.2 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102881824A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;毛俊;武慧薇;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，由于阻变层并非单一的阻变材料，在阻变器set操作过程中，根据电压大小不同，会产生多个稳定的阻态，从而增加了阻变器的存储密度，同时，无需增大阻变器的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底（4）以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极（3）、阻变层（2）和上电极（1），其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分（21）和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分（22）。
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