[发明专利]一种采用新型合金籽晶层的铜互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210360376.4 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102832198A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;张卫;孙清清;徐赛生;王鹏飞;丁士进 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Co-Ru层材料作为铜互连结构的籽晶层。本发明用等离子原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长的Co-Ru材料籽晶层，淀积的薄膜能够具有良好的粘附性。此外，通过调节Co-Ru材料籽晶层中的Co和Ru比例，可以获得较佳的粘附特性。本发明的优点是可以提电镀铜与籽晶层的粘附特性性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 合金 籽晶 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构，以现有铜互连结构为基础，其特征在于采用Co‑Ru材料作为铜互连结构的籽晶层。
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