[发明专利]场发射阴极的制备方法及场发射器件

摘要

本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，包括：获取基板；在基板上形成电子发射体；在基板设有电子发射体的一面涂覆金属浆料，形成金属层；金属浆料包括金属颗粒、有机溶剂及粘合剂，金属颗粒的尺寸为8~15纳米；将形成有金属层的基板加热至目标温度，并进行保温处理；加热过程中温度上升速率为3~10摄氏度/分钟，目标温度为200~400摄氏度，保温时间为40~70分钟；对基板进行冷却处理。本发明还涉及一种场发射器件。本发明于基板表面、各电子发射体间的间隙内形成一层粘结金属层，使电子发射体与基板之间形成了良好的欧姆接触，接触电阻较低，提高了电子发射体与基板之间的热导率，从而提高电子发射体的电子发射效率，提高了场发射光源的发光效率。

主权项

一种场发射阴极的制备方法，包括：步骤一，获取基板；步骤二，在所述基板上形成电子发射体；步骤三，在所述基板设有电子发射体的一面涂覆金属浆料，形成所述金属层；所述金属浆料包括金属颗粒、有机溶剂及粘合剂，所述金属颗粒的尺寸为8~15纳米；步骤四，将形成有所述金属层的基板加热至目标温度，并进行保温处理；加热过程中温度上升速率为3~10摄氏度/分钟，所述目标温度为200~400摄氏度，所述保温时间为40~70分钟；步骤五，对所述基板进行冷却处理。