[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210361359.2 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102891253A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;毛俊;武慧薇;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，可以有效地缩小电极的作用面积，同时，可以以制作微米级存储器的成本来实现纳米级存储器的效果，简化了存储器的制作工艺、同时节约了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，包括上电极（1）、阻变材料（2）和下电极（3），所述阻变材料（2）位于下电极（3）之上，所述上电极(1）嵌入在阻变材料(2)之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。
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