[发明专利]一种参考电压的驱动电路有效
| 申请号： | 201210362016.8 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103677040A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李福乐;李玮韬;杨昌宜;王志华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H03M1/12 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;齐辉 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种参考电压的驱动电路，能够实现较好的PSRR，提高参考电压的建立速度，降低电路的功耗。本发明实施例提供的参考电压的驱动电路包括闭环负反馈环路和开环支路，开环支路中包括NMOS管（M31）和NMOS管（M32）；NMOS管（M31）的漏极连接至电源VDD，NMOS管（M31）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第一偏置电压，NMOS管（M31）的源极输出参考电压Vrp；NMOS管（M32）的漏极与NMOS管（M31）的源极相连接，NMOS管（M32）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第二偏置电压，NMOS管（M32）的源极通过隔离电器件接地，NMOS管（M32）的源极输出参考电压Vrn。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 参考 电压 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种参考电压的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括闭环负反馈环路和开环支路，所述开环支路中包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管（M31）和NMOS管（M32）；NMOS管（M31）的漏极连接至电源VDD，NMOS管（M31）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第一偏置电压，NMOS管（M31）的源极输出参考电压Vrp；NMOS管（M32）的漏极与NMOS管（M31）的源极相连接，NMOS管（M32）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第二偏置电压，NMOS管（M32）的源极通过隔离电器件接地，NMOS管（M32）的源极输出参考电压Vrn。
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