[发明专利]一种薄膜晶体管像素单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201210362112.2 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681494A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 顾寒昱;曾章和 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/786 | 分类号： | H01L21/786;G09F9/33;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管像素单元及其制造方法，所述薄膜晶体管像素单元包括：位于衬底上的多晶硅图形，所述多晶硅图形包括沟道区域、源极区域、漏极区域和存储电容第一极板区域；位于所述多晶硅图形上的栅极绝缘层；其特征在于，所述栅极绝缘层包括位于所述沟道区域上方的第一区域和位于所述存储电容第一极板区域上方的第二区域，并且，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度。本实施例提供的薄膜晶体管像素单元可具备较好的薄膜晶体管器件特性，同时存储电容值较高，可良好的维持一帧画面的显示，提高了显示装置的性能，减小了薄膜晶体管像素单元的设计限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 像素 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管像素单元，包括： 位于衬底上的多晶硅图形，所述多晶硅图形包括沟道区域、源极区域、漏极区域和存储电容第一极板区域； 位于所述多晶硅图形上的栅极绝缘层； 其特征在于，所述栅极绝缘层包括位于所述沟道区域上方的第一区域和位于所述存储电容第一极板区域上方的第二区域，并且，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
