[发明专利]具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件在审
| 申请号： | 201210362131.5 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102867850A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | M.多茨;J.卡瓦里罗斯;M.梅茨;J.布拉斯克;S.达塔;R.曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称是“具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件”。描述了一种半导体器件，其包括栅电介质和包含铝化物的金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 金属 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌构成的组中选择的材料；金属栅电极，其形成在栅电介质上，其包括具有成分MxAly的铝化物，其中M是过渡金属；形成在铝化物上的填充金属；以及PMOS金属栅电极，其布置在所述高k栅电介质上，所述PMOS金属栅电极不包括铝化物。
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