[发明专利]硅通孔阵列结构的射频模型方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔阵列结构的射频模型方法，用于建立硅通孔阵列结构的射频模型，硅通孔阵列结构包括多个平行排列的条形硅通孔。本发明方法考虑到了硅通孔阵列结构中条形硅通孔的寄生电感、寄生电阻和趋肤效应，以及条形硅通孔之间的耦合电容、条形硅通孔之间的互感，以及硅通孔和衬底的寄生电容，以及衬底效应等，能很好的表征硅通孔阵列结构的高频特征，模拟出准确的硅通孔阵列结构的寄生电感、寄生电容与频率的关系。

主权项

一种硅通孔阵列结构的射频模型方法，用于建立硅通孔阵列结构的射频模型，所述硅通孔阵列结构由形成于硅衬底中的多个条形硅通孔组成，所述条形硅通孔为条形硅通孔一，各所述条形硅通孔一等间距的平行排列，各所述条形硅通孔一的长度相等、宽度相等，各所述条形硅通孔一都互相对齐；或者，所述硅通孔阵列结构由形成于硅衬底中的多个条形硅通孔组成，所述条形硅通孔包括多个条形硅通孔一、两个条形硅通孔二和两个条形硅通孔三，各所述条形硅通孔一等间距的平行排列，各所述条形硅通孔一的长度相等、宽度相等，各所述条形硅通孔一都互相对齐，所述条形硅通孔二和所述条形硅通孔三环绕于由所述条形硅通孔一组成的平行排列结构的外侧，且所述条形硅通孔二和所述条形硅通孔一平行、且所述条形硅通孔二的长度大于所述条形硅通孔一的长度，所述条形硅通孔三和所述条形硅通孔一垂直、且所述条形硅通孔三的长度大于由所述条形硅通孔一组成的平行排列结构的长度，所述条形硅通孔二和所述条形硅通孔三的宽度和所述条形硅通孔一的宽度相同；其特征在于，所述射频模型包括：两个端口，端口一表示各所述条形硅通孔的上端、端口二表示各所述条形硅通孔的下端；所有所述条形硅通孔的上端都连接在一起、所有所述条形硅通孔的下端都连接在一起；第一电感元件和第二电感元件，用于表征所述硅通孔阵列结构的所形成的两个寄生电感；所述第一电感元件和所述第二电感元件之间存在互感，互感系数为K；第一耦合电容元件和第二耦合电容元件，所述第一耦合电容元件用于表征所述硅通孔阵列结构的靠近所述端口一的位置处的耦合电容，所述第二耦合电容元件用于表征所述硅通孔阵列结构的靠近所述端口二的位置处的耦合电容；两个阶梯电阻与电感网络，用于表征所述硅通孔阵列结构的的条形硅通孔的寄生电阻和趋肤效应；第一阶梯电阻与电感网络是由N级子电路并联而成、每一级子电路由一个子电阻和子电感串联而成，第二阶梯电阻与电感网络是由N级子电路并联而成、每一级子电路由一个子电阻和子电感串联而成，N大于等于2；所述第一电感元件和所述第一阶梯电阻与电感网络串联于所述端口一和所述端口二之间，所述第二电感元件和所述第二阶梯电阻与电感网络串联于所述端口一和所述端口二之间；所述第一耦合电容元件的两端都和所述端口一相连，所述第二耦合电 容元件的两端都和所述端口二相连。