[发明专利]单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器有效
| 申请号： | 201210363559.1 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102879527A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王冰;郑照强;吴环宇 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 朱思全 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢敏传感器，所述单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，包括基底及其上方的绝缘层、所述绝缘层上方搭载有若干电极，所述电极间通过单根同轴纳米电缆连接，所述单根同轴纳米电缆采用锡内芯，所述锡内芯外面包有一层二氧化锡外壳。本发明的有益效果在于：单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆的二氧化锡纳米管壳层的平均厚度为5nm，以此为基础将纳米电缆的核壳尺度可控及均匀性方面、二氧化锡纳米管壳层的表面掺杂等方面做改进，那么此纳米电缆就可以成功作为新型氢敏层用于氢敏传感器中，有效缓解在目前准一维二氧化锡纳米材料氢敏传感器的研究中所面临的前技术瓶颈问题。 | ||
| 搜索关键词： | 单根准一维二 氧化 同轴 纳米 电缆 传感器 | ||
【主权项】：
一种单根准一维二氧化锡‑锡同轴纳米电缆氢敏传感器，包括基底及其上方的绝缘层、所述绝缘层上方搭载有若干电极，所述电极间通过单根同轴纳米电缆连接，其特征在于：所述单根同轴纳米电缆采用锡内芯，所述锡内芯外面包有一层二氧化锡外壳。
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