[发明专利]光电转换装置和成像系统有效

专利信息
申请号: 201210363633.X 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN103035661A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 小林昌弘;岸隆史;山下雄一郎 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 罗银燕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了光电转换装置和成像系统。在能够将包含在光电转换单元中的光电转换元件的信号相加的光电转换装置中,每个光电转换元件包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件之间,以及第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度比第三半导体区域的杂质浓度低。
搜索关键词: 光电 转换 装置 成像 系统
【主权项】:
一种光电转换装置,所述光电转换装置包含多个光电转换单元,每个光电转换单元包含多个光电转换元件,并且所述光电转换装置将包含在光电转换单元中的所述多个光电转换元件的信号相加,其中,所述多个光电转换元件中的每一个包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,其中,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间,其中,第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间,以及其中,第二半导体区域的至少一部分的第二导电类型的杂质浓度比第三半导体区域的第二导电类型的杂质浓度低。
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