[发明专利]一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品

摘要

本发明公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。

主权项

一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：（a）软、硬模板的准备步骤：首先根据所需加工的纳米图形，通过电子束曝光的方式制作出硬模板，然后将该硬模板上的图形予以转移并制作出相应的软模板；（b）底胶涂覆和硬掩膜层的形成步骤：对半导体基片进行清洗和干燥处理后，在其表面上涂覆底胶并对底胶执行固化处理，由此在半导体基片上形成底胶层；接着，在所形成的底胶层上镀上硬掩膜层，其中所述底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）纳米压印图形的转移步骤：在所形成的硬掩膜层上涂覆光刻胶，经烘烤处理后获得用于构成所需纳米图形的相应压印胶层；然后，利用步骤（a）所制得的软模板在所述压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）干法刻蚀处理步骤，该步骤具体包括以下子步骤：（d1）利用干法刻蚀工艺并以压印胶层上所形成的纳米图形为掩膜对所述压印胶层执行刻蚀处理，由此去除多余的光刻胶并露出其下部的硬掩膜层；（d2）继续利用干法刻蚀工艺并以纳米图形为掩膜对所述硬掩膜层执行刻蚀处理，由此在硬掩膜层上形成所需的纳米图形；（d3）再次利用干法刻蚀工艺并以硬掩膜层上所形成的纳米图形为掩膜对底胶层执行刻蚀处理，由此在底胶层上形成所需的纳米图形；（e）利用步骤（d）所形成的底胶层及其纳米图形，通过干法刻蚀工艺在半导体基片上形成相应的纳米图形，由此获得最终的纳米压印产品。