[发明专利]半导体元件的安装方法有效
申请号: | 201210364433.6 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103035541A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 樱井大辅;后川和也 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 冯雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体元件的安装方法。在喷射还原气体21的同时进行加压、加热以进行凸块接合,将多个半导体元件排列安装在基板2的表面上时,通过将加压所用的加压重物22分割,从而能够确保还原气体21的流入通路,抑制在凸块4和电极端子之间产生间隙,同时抑制在凸块接合时的翘曲。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 安装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元件的安装方法,其为通过凸块将第二半导体元件接合在基板或者第一半导体元件的表面的半导体元件的安装方法,其特征在于,具有加压加热工序和加压冷却工序,所述加压加热工序为:在还原气体气氛中,利用加压装置对在基板或者多个第一半导体元件的表面的凸块上临时接合的多个第二半导体元件沿所述基板或者多个第一半导体元件和所述多个第二半导体元件相互接近的方向进行加压,并加热所述凸块;所述加压冷却工序为:一边持续进行所述加压装置的所述加压,一边冷却所述凸块;在所述加压装置中设置有能够供所述还原气体通过的还原气体流入通路;通过所述加压加热工序和所述加压冷却工序,将与所述基板或者多个第一半导体元件临时接合的所述第二半导体元件正式接合,以进行安装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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