[发明专利]硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 201210364884.X | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681290A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅化物形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面的栅介质层、栅电极层和第一掩膜层两侧形成侧墙；在衬底表面形成第一牺牲层；去除所述第一掩膜层，在栅电极层顶面和侧墙之间形成沟槽；在所述沟槽内形成覆盖栅电极顶面和沟槽侧壁的第二牺牲层，且位于沟槽侧壁的第二牺牲层宽度均一；在所述第二牺牲层表面形成第二掩膜层且所述第二掩膜层填充满所述沟槽；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀第二牺牲层和栅电极层，直至去除部分厚度的栅电极层；在去除部分厚度的栅电极层表面形成硅化物层。所述形成的栅电极层表面积增大，有利于降级栅电极层的电阻，提高器件的运行速率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化物 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅化物形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层和位于所述栅电极表面的第一掩膜层；在所述栅介质层、栅电极层和第一掩膜层两侧形成侧墙；在衬底表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层顶面与第一掩膜层顶面齐平；去除所述第一掩膜层，在栅电极层顶面和侧墙之间形成沟槽；在所述沟槽内形成覆盖栅电极顶面和沟槽侧壁的第二牺牲层，且位于沟槽侧壁的第二牺牲层宽度均一；在所述第二牺牲层表面形成第二掩膜层且所述第二掩膜层填充满所述沟槽；以第二掩膜层为掩膜，沿位于沟槽侧壁的第二牺牲层刻蚀第二牺牲层和栅电极层，直至去除部分厚度的栅电极层；去除第二掩膜层和第一牺牲层；在去除部分厚度的栅电极层表面形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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