[发明专利]用于高容量电子束光刻的方法有效
| 申请号： | 201210365270.3 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103488042A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王宏钧;林子钦;林家吉;郑年富;陈政宏;黄文俊;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据，使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案，将修改的多边形条纹化为子区，将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据，以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案，以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 容量 电子束光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化衬底的方法，所述方法包括：接收包括具有多边形和禁止图案的图案层的集成电路(IC)设计布局数据；使用电子邻近校正(EPC)技术修改所述多边形和所述禁止图案；将修改的多边形条纹化为子区，其中，条纹化所述修改的多边形包括：将修改的禁止图案用作参考层，和通过避免缝合所述修改的禁止图案来缝合所述修改的多边形；将条纹化的多边形转换为电子束写入格式数据；以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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