[发明专利]具有自对准互连件和阻挡部分的半导体器件有效
| 申请号： | 201210365276.0 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103378053A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张世明;谢艮轩;欧宗桦;刘如淦;范芳瑜;侯元德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有自对准互连件和阻挡部分的半导体器件和用于制造该器件的方法。示例性器件包括布置在衬底上方的第一导电层，第一导电层包括沿第一方向延伸的第一多条导线。该器件还包括布置在第一导电层上方的第二导电层，第二导电层包括沿第二方向延伸的第二多条导线。该器件还包括形成在第一多条导线的第一导线与第二多条导线的第一导线电接触的界面处的自对准互连件。该器件还包括夹置在第一多条导线的第二导线与第二多条导线的第二导线之间的阻挡部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 互连 阻挡 部分 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一层间介电(ILD)层，布置在衬底上方，所述第一ILD层包括第一导电层，所述第一导电层包括沿第一方向的第一导线和第二导线；以及第二ILD层，布置在所述第一ILD层上方，所述第二ILD层包括第二导电层，所述第二导电层包括沿第二方向的第一导线和第二导线，其中，所述第二导电层的第一导线形成在所述第一导电层的第一导线上方并在界面处与所述第一导电层的第一导线接触，所述界面在不使用通孔的情况下提供电接触，其中，所述第二导电层的第二导线形成在所述第一导电层的第二导线上方，以及其中，在所述第二导电层的第二导线和所述第一导电层的第二导线之间夹置阻挡部分。
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