[发明专利]厚膜混合电路结构及制造方法无效
| 申请号： | 201210365338.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700656A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄洪光;李顺隆 | 申请（专利权）人： | 国碁电子（中山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L21/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528437 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种厚膜混合电路结构，包括第一厚膜基板、第二厚膜基板、芯片及封胶体。所述第二厚膜基板堆叠于所述第一厚膜基板之上并与所述第一厚膜基板电性连接。所述第二厚膜基板设有镂空区，所述芯片通过所述封胶体固封于所述第二厚膜基板之镂空区内并与所述第一厚膜基板电性连接。本发明提供的厚膜混合电路结构可有效避免两层厚膜电路之间短路的形成，且使各层电路之间的信号互不干扰，提高信号的质量。本发明还揭示一种厚膜混合电路结构制造方法，制程简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 电路 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种厚膜混合电路结构，包括第一厚膜基板、第二厚膜基板、芯片及封胶体，其特征在于，所述第二厚膜基板堆叠于所述第一厚膜基板之上并与所述第一厚膜基板电性连接，所述第二厚膜基板设有镂空区，所述芯片通过所述封胶体固封于所述第二厚膜基板之镂空区内并与所述第一厚膜基板电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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