[发明专利]一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 201210365606.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102867844A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;林吉勇;陈辉;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲;朱芳雄 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P-漂移区及N型体区，且N型外延层的上表面为P-漂移区及N型体区覆盖，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在P-漂移区上方设有P型缓冲层，在P型缓冲层上方设有P型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、多晶硅栅、P-漂移区、P型漏区上方设有场氧化层，在P型源区及N型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，P型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在N型外延层上设有超结结构，超结结构由连接漏区及N型外延层方向相间分布的P型区和N型区构成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 耐压 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底(1)，在P型硅衬底(1)上设有N型外延层(14)，在N型外延层(14)上设有P‑漂移区(2)及N型体区(3)，且N型外延层(14)的上表面为P‑漂移区(2)及N型体区(3)覆盖，在N型体区(3)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(8)，在P‑漂移区(2)上方设有P型缓冲层(13)，在P型缓冲层(13)上方设有P型漏区(12)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、多晶硅栅(9)、P‑漂移区(2)、P型漏区(12)上方设有场氧化层(6)，在P型源区(4)及N型体接触区(5)上接有穿通场氧化层(6)的第一金属引线(7)，多晶硅栅(9)接有穿通场氧化层(6)的第二金属引线(10)，P型漏区接有穿通场氧化层(6)的第三金属引线(11)，其特征在于，在N型外延层(14)上设有超结结构，超结结构由连接漏区及N型外延层(14)方向相间分布的P型区(15)和N型区(16)构成。
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