[发明专利]一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法无效
| 申请号： | 201210366188.2 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102867756A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;肖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;D01D5/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅烧2～4h。本发明通过电纺丝技术制备的有源层实现低成本、大规模的纳米尺度、高性能场效应晶体管的制作。该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好地简化了有源层的制作方法，同时改善了有源层的性能，获得高性能的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜 场效应 晶体管 有源 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，其步骤包括：A：将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元素的金属盐混合形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上形成复合纳米纤维膜；B:将步骤A所获得的复合纳米纤维膜在400～800℃煅烧2～4h，从而获得金属氧化物薄膜场效应晶体管的有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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