[发明专利]可双向追踪时序参数的记忆装置有效

专利信息
申请号: 201210366277.7 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN103000222A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 陈和颖;张宏任;夏濬 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种可双向追踪时序参数的记忆装置,记忆装置包含一动态随机存取记忆体、一第一双向追踪电路和一第二双向追踪电路。动态随机存取记忆体包含一记忆单元、一字符线,和一位元线。第一双向追踪电路用来追踪一第一时序参数,其中该第一时序参数相关于开启字符线或关闭字符线的动作。第二双向追踪电路用来追踪一第二时序参数,其中第二时序参数相关于开启位元线、关闭位元线,或通过位元线存取记忆单元的动作。
搜索关键词: 双向 追踪 时序 参数 记忆 装置
【主权项】:
一种可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,包含:一动态随机存取记忆体,其包含:一记忆单元;一字符线,用来开启或关闭该记忆单元;一位元线,用来将一第一电荷写入该记忆单元,或接收该记忆单元内存的一第二电荷;一第一双向追踪电路,用来检测一第一时序参数,其中该第一时序参数相关于开启该字符线或关闭该字符线的动作;以及一第二双向追踪电路,用来检测一第二时序参数,其中该第二时序参数相关于开启该位元线、关闭该位元线、通过该位元线将该第一电荷写入该记忆单元、或通过该位元线从该记忆单元读取该第二电荷的动作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰创科技股份有限公司,未经钰创科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210366277.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top