[发明专利]一种用于MOCVD设备的加热器无效
申请号: | 201210366872.0 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102851652A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 肖四哲;邓金生;杨宝力 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司;佛山市中山大学研究院 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于MOCVD设备的加热器,包括圆盘状炉体和设于该炉体上的加热体,其特征在于:所述的炉体分成内圈、中圈和外圈三个区域,这三个区域分别设置有三组加热体,每组加热体由单独的加热电源控制器进行控制。本发明能对加热器的温度场进行均匀控制,且加热炉体材料成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 加热器 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD设备的加热器,包括圆盘状加热体,其特征在于:所述的加热体分成内圈、中圈和外圈三个部分,这三个部分分别由单独的加热电源控制器进行控制。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的