[发明专利]新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件

摘要

一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体，其第二半导体表面设有主栅，主栅位于源、漏极之间靠近源极一侧，并与第二半导体形成金属-半导体接触；介质层，其形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏极之间，且介质层表面设有顶栅，顶栅对主栅形成全覆盖，且至少顶栅的一侧边缘部向漏或源极有一定延伸；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，还可将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。

主权项

一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源极（12）、漏极（11）以及异质结构，所述源极（12）与漏极（11）通过异质结构中的二维电子气（2DEG）形成电连接，其中，所述异质结构包括：第一半导体（13），其设置于源极（12）和漏极（11）之间，第二半导体（14），其形成于第一半导体（13）表面，并具有宽于第一半导体（13）的带隙，且第二半导体（14）表面设有主栅（16），所述主栅（16）位于源极（12）与漏极（11）之间靠近源极（12）一侧，并与第二半导体（14）形成金属‑半导体接触，介质层（17），其形成于第二半导体（14）和主栅（16）表面，并设置在源极（12）与漏极（11）之间，且介质层（17）表面设有顶栅（18），所述顶栅（18）对主栅（16）形成全覆盖，且至少所述顶栅（18）的一侧边缘部向漏极（11）或源极（12）方向延伸设定长度距离，其特征在于，所述HEMT器件还包括：用于使所述主栅（16）和顶栅（18）实现同步信号控制的分压补偿电路。