[发明专利]一种硅靶材组件的钎焊方法无效
| 申请号： | 201210367293.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103692041A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅靶材组件的钎焊方法。本发明硅靶材组件的钎焊方法以铟为钎焊材料，在硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层，之后将涂覆有铟钎料层的硅靶材和背板的焊接面相贴合，进行钎焊，形成靶材组件。经检验，采用本发明制得的硅靶材组件中，硅靶材和背板的结合率达到95%以上，其完全满足磁控溅射过程中，对于硅靶材和背板高强度结合的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅靶材 组件 钎焊 方法 | ||
【主权项】：
一种硅靶材组件的钎焊方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅靶材和背板；分别在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层；将涂覆有所述铟钎料层的所述硅靶材和背板的焊接面贴合，进行钎焊，将所述硅靶材焊接至所述背板上，形成硅靶材组件；冷却所述硅靶材组件。
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