[发明专利]一种快恢复二极管的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210367302.3 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700712A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;郝瑞红;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/45;H01L21/329;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复二极管的结构及其制造方法，该结构包括：阴极金属层；位于所述阴极金属层上的阴极区，所述阴极区具有第一导电类型；位于所述阴极区上的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；位于所述漂移区上的阳极区，所述阳极区具有第二导电类型，所述漂移区和所述阳极区的界面处形成PN结，所述PN结处和/或所述漂移区中和或所述阳极区中形成有键合界面；和位于所述阳极区上的阳极金属层。通过引入键合界面以在快恢复二极管体区形成低寿命区域，并且通过精确控制键合界面的位置，以精确地控制载流子在快恢复二极管体区的寿命分布，有效提高快恢复二极管的开关速度，同时保证开关软度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管的结构，包括：阴极金属层;位于所述阴极金属层上的阴极区，所述阴极区具有第一导电类型；位于所述阴极区上的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；位于所述漂移区上的阳极区，所述阳极区具有第二导电类型，所述漂移区和所述阳极区的界面处形成PN结，所述PN结处和/或所述漂移区中和/或所述阳极区中形成有键合界面；和位于所述阳极区上的阳极金属层。
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