[发明专利]一种倒置聚合物太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210367372.9 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103700766A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种倒置聚合物太阳能电池,依次包括阴极、电子缓冲层、活性层、空穴缓冲层和阳极,所述空穴缓冲层的材质为酞菁类小分子,所述酞菁类小分子为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁。本发明还公开了该倒置聚合物太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:(1)提供所需尺寸的阴极;(2)蒸镀电子缓冲层,然后旋涂活性层;(3)将酞菁类小分子溶液旋涂在活性层上,烘干形成空穴缓冲层;(4)蒸镀阳极,得到倒置聚合物太阳能电池。本发明采用倒置结构,以酞菁类小分子作为空穴缓冲层,利用酞菁类小分子形成晶体的散射与反射作用,使太阳光回到活性层再度被利用,从而改善了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒置 聚合物 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种倒置聚合物太阳能电池,依次包括阴极、电子缓冲层、活性层、空穴缓冲层和阳极,其特征在于,所述空穴缓冲层的材质为酞菁类小分子,所述酞菁类小分子为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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