[发明专利]光电转换装置

摘要

本发明提供一种电阻损失少且转换效率高的光电转换装置。光电转换装置包括：在一对电极之间，在具有一导电型的结晶硅衬底的一个面形成具有与该结晶硅衬底相反的导电型的第一硅半导体层，在该结晶硅衬底的另一个面形成具有与该结晶硅衬底相同的导电型的第二硅半导体层，第一硅半导体层及第二硅半导体层在厚度方向上为载流子浓度不同的结构。

主权项

一种光电转换装置，包括：第一电极；第二电极；所述第一电极与所述第二电极之间的具有一导电型的结晶硅衬底；所述结晶硅衬底与所述第一电极之间的具有单层结构的第一硅半导体层，所述第一硅半导体层具有与所述结晶硅衬底的导电型相反的导电型；所述第一硅半导体层与所述第一电极之间的透光导电膜；以及所述结晶硅衬底与所述第二电极之间的具有单层结构的第二硅半导体层，所述第二硅半导体层具有与所述结晶硅衬底相同的导电型，其中，所述第一硅半导体层包括第一区域、所述第一区域下方的第二区域以及所述第二区域下方的第三区域，其中，所述第一硅半导体层包括赋予导电型的第一杂质元素，其中，所述第一杂质元素的浓度在所述第三区域是固定的，其中，所述第一杂质元素的浓度在所述第二区域从所述第三区域一侧到所述第一区域一侧在膜厚方向上单调增加，其中，所述第一杂质元素的浓度在所述第一区域是固定的，其中，所述第二硅半导体层包括第四区域、所述第四区域上方的第五区域以及所述第五区域上方的第六区域，其中，所述第二硅半导体层包括赋予导电型的第二杂质元素，其中，所述第二杂质元素的浓度在所述第六区域是固定的，其中，所述第二杂质元素的浓度在所述第五区域从所述第六区域一侧到所述第四区域一侧在膜厚方向上单调增加，以及其中，所述第二杂质元素的浓度在所述第四区域是固定的。