[发明专利]应用于外延工艺的光刻标记及方法有效
| 申请号： | 201210367921.2 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700649A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王雷;苏波;李伟峰;程晋广 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/311;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于外延工艺的光刻标记及方法，光刻标记被放置在介质材料中，且任何一个外边界或外界面均被外延难以生长的保护层所包围。本发明将光刻标记彻底和硅材料隔绝，彻底解决了外延生长对光刻标记的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 外延 工艺 光刻 标记 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，光刻标记被放置在介质层中，且任何一个外边界或外界面均被外延难以生长的介质层所包围。
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