[发明专利]实现肖特基二极管的双极IC结构的制造方法及双极IC结构有效
| 申请号： | 201210369046.1 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700590B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈冠峰;张骁宇;卜慧琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种实现肖特基二极管的双极集成电路结构的制造方法及双极集成电路结构。属于半导体技术领域。本发明的方法中，利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P‑层；并通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；最后蒸发铝，以在肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、铂和钯等贵金属，同时保持由钛、铂和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且有效简化了工艺流程，降低了生产成本，且本发明的实现肖特基二极管的双极集成电路结构的制造方法及双极集成电路结构的应用范围也较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 肖特基 二极管 ic 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构的制造方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)生成衬底、衬底内的N埋层和P埋层、衬底上的外延层以及外延层内的上隔离层和深磷层；(2)利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P‑层，并退火；(3)通过预淀积和再扩散生成深磷层上的发射区；(4)通过一次蚀刻形成位于所述的基区内的肖特基接触孔；(5)蒸发铝，在所述的肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润矽科微电子有限公司，未经无锡华润矽科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210369046.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
