[发明专利]一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法有效
| 申请号： | 201210369325.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102898034A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;尹长浩;周海萍;钟根香 | 申请（专利权）人： | 东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。该方法可显著提高氮化硅涂层整体强度，尤其可以提高易粘埚区域涂层的强度及其对硅熔体的非浸润性，可有效避免粘埚现象的发生，避免了氮化硅粉尘的产生，进一步提高了氮化硅粉的有效利用率，降低了生产成本，增强了操作过程中的环境友好性，降低了对人体的伤害；并且由于无需或仅需低温烘烤，减少了能源的浪费缩短了生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 坩埚 氮化 涂层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。
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