[发明专利]一种偏晶向籽晶的加工方法

摘要

本发明公布了一种偏晶向单晶硅籽晶的加工方法，通过选取特定要求的晶锭，并根据生长绫线确认主参考面方向；利用滚圆机进行一次滚圆加工；利用X-ray晶向衍射仪精确定位主参考面位置并找出晶向偏离的OF面；利用内圆切设备进行晶锭一端面晶向偏离调整切割，达到指定晶向偏离要求，并对另一端面进行平行切割；以晶向偏离后的端面为准进行二次滚圆加工；利用铣床及籽晶套取装置对加工后的晶锭进行籽晶垂直套取；对套取后的籽晶进行夹具表面加工、化学抛光、清洗后可得到偏晶向籽晶。利用本发明加工得到的偏晶向籽晶生产偏晶向硅片可以有效提高加工良率、有效提高棒单位重量出片率、有效提高硅片倒角加工效率。

主权项

一种偏晶向籽晶的加工方法，其加工方法如下：1)选取一段未滚圆的无位错硅单晶晶棒，长度约130～140mm；2)根据生长轴线选取主参考面位置，并用金刚笔在晶锭端面做好标记；3)将做好标记的晶锭进行外径一次滚圆，得到滚圆好的晶锭(1‑1)；4)将滚圆好的晶锭置于X‑ray晶向衍射仪上，打开X‑ray晶向衍射仪设备，进行点检确认，并将参考面标记侧对准射线测试端面，寻找准确的参考面(110)位置，并做好标记；5)根据X‑ray晶向衍射仪精确查找助参考面位置确认最近距离的OF面，主参考面法向垂直，所谓OF面为偏晶向硅片指定的晶向偏离面；6)将做好标记的晶锭进行黏胶，黏胶位置为主参考面位置，待胶干后将晶锭置于内圆切割机上进行晶向偏离切割；7)调整内圆切割机定位系统，使晶锭偏向OF面，切割晶锭端面；8)将切割好的晶锭端面置于X‑ray晶向衍射仪上进行晶向测试，确认晶向偏离度；9)多次重复7～8步骤可以得到端面晶向在OF面偏离指定角度；10)将晶锭另一端平行切割，得到两端平行的端面晶向具有指定偏度的晶锭(2‑1)；11)将端面处理后的晶锭进行二次滚圆，得到处理后的偏晶向晶锭(3‑1)；12)将二次滚圆好的晶锭置于铣床下，调整水平，采用籽晶套取装置(4‑1)进行籽晶垂直套取；13)将套取好的籽晶(5‑1)进行表面夹紧工位加工；14)将加工好的籽晶(5‑1)进行表面化学抛光，去除表面损伤层，并清洗；15)将清洗好的籽晶(5‑1)用洁净纸包装好，并注明晶向偏离及其偏离度；16)重复11～15步骤可在同一晶锭得到多枚偏晶向籽晶，重复1～15步骤可得到 多批次偏晶向籽晶；17)将加工好的偏晶向籽晶用于生长硅单晶，按照常规单晶生长流程生长硅单晶即可得到与籽晶一致偏度的偏晶向单晶。