[发明专利]一种MOS管及其制造方法以及该MOS管在电池保护电路中的应用有效
申请号: | 201210369459.X | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102881725A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王钊;尹航 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H02H7/18 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种MOS管及其制造方法以及该MOS管在电池保护电路中的应用,其中所述电池保护电路包括电池保护控制电路和一个本发明中的MOS管,所述MOS管的第一电极与电池的负极相连,第二电极与第二电源端相连,所述电池的正极与第一电源端相连,所述电池保护控制电路包括功率开关控制电路和衬体选择电路,所述功率开关控制电路用于对电池的充放电状态进行检测以生成驱动信号给所述MOS管的栅极;所述衬体选择电路与所述MOS管的衬体相连,用于将所述衬体选择性的连接于第一电极和第二电极中电压较低的一端。与现有技术相比,本发明采用一个MOS管作为电池保护电路中的功率开关,其可以节省功率开关的版图面积,从而减小芯片的面积,进而降低芯片的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 及其 制造 方法 以及 电池 保护 电路 中的 应用 | ||
【主权项】:
一种MOS管,其特征在于,其包括N+衬底,形成于N+衬底上方的N‑层,形成于N‑层上方的P‑层,自P‑层的上表面向下延伸至N‑层内的栅极,半围绕所述栅极以将所述栅极隔离的栅氧层,自P‑层的上表面向下延伸至P‑层内的N+有源区,与所述N+有源区相互间隔的自P‑层的上表面向下延伸至P‑层内的P+有源区,P+表示P型重掺杂,P‑表示P型轻掺杂,N+表示N型重掺杂,N‑表示N型轻掺杂,N+有源区形成所述MOS管的第一电极,N+衬底形成所述MOS管的第二电极,P+有源区形成所述MOS管的衬体。
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