[发明专利]晶体管电路布局结构有效
申请号: | 201210369477.8 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN102983131A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 郭明宏 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;田景宜 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体管电路布局结构,包含位于基材上具有源极端、漏极端与断开栅极的晶体管、断开栅极则包含独立的第一区块与独立的第二区块、位元线位于源极端与漏极端上或是埋入基材中并与漏极端电连接、字元线位于第一区块上并与第一区块电连接以及背驱线位于第二区块上并与第二区块电连接。背驱线的水平高度与位元线以及字元线的水平高度不同。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 电路 布局 结构 | ||
【主权项】:
一种晶体管电路布局结构,其特征在于,包含:一基材;一晶体管,位于该基材上,并包含一源极、一漏极、与一断开栅极,其中该断开栅极包含独立的一第一区块与独立的一第二区块;一位元线,位于该源极与该漏极上、与该漏极端电连接、并沿着一第一方向延伸;一字元线,位于该第一区块上、与该第一区块电连接、并沿着该第一方向延伸;一背驱线,位于该第二区块上、与该第二区块电连接、并沿着一第二方向延伸,其中该背驱线的水平高度与该位元线以及该字元线的水平高度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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