[发明专利]一种高效多晶硅的铸锭方法有效

专利信息
申请号: 201210369656.1 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN102899720A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 黄新明;钟根香;明亮 申请(专利权)人: 东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 222300 江苏省连*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种高效多晶硅的铸锭方法,含以下步骤:(1)在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条;(2)将硅料和电活性掺杂剂装入石英坩埚内,把石英坩埚送进铸锭炉;(3)加热使硅原料和电活性掺杂剂完全熔化;(4)长晶初期,调节加热器温度为1425~1440℃,并将隔热底板迅速打开,调节隔热底板的开度在1~8cm,沿坩埚底部纵向生长一层树枝状的晶体;(5)长晶中后期,控制固液相的温度梯度,以底部树枝状的晶体为籽晶,保持平直的固液界面,竖直向上定向凝固生成含有大量孪晶的多晶硅。采用本发明铸锭方法制成的多晶硅片,电池效率比普通多晶硅要高0.4-0.6%,整锭硅片的平均电池效率达到17.5%,最大效率高达18%。
搜索关键词: 一种 高效 多晶 铸锭 方法
【主权项】:
一种高效多晶硅的铸锭方法,其特征是含以下步骤:(1)对普通铸锭炉热场结构进行改造,在铸锭炉两侧加热器下方50~300mm范围内设置隔热条;(2)将硅料和电活性掺杂剂装入石英坩埚内,把装好料的石英坩埚送进铸锭炉;(3)给加热器供电进行加热,使硅料和电活性掺杂剂熔化,完全熔化时坩埚底部温度控制在1400~1420℃;(4)长晶初期,调节加热器温度为1425~1440℃,并将隔热底板迅速打开,调节隔热底板的开度在1~8cm,沿坩埚底部纵向生长一层树枝状的晶体;(5)长晶中后期,控制固液相的温度梯度,以底部树枝状的晶体为籽晶,并保持平直的固液界面,竖直向上定向凝固生成含有大量孪晶的多晶硅。
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