[发明专利]一次扩散法制备选择性发射极电池的方法

摘要

本发明公开一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于包括以下步骤：选用P型硅片，采用硅片制绒工艺对其进行表面去损伤层及构化；将制绒后的硅片完全浸泡在有机硅凝胶溶液中生成二氧化硅层；选择性去除硅片二氧化硅层，并清洗、烘干带二氧化硅层硅片；将烘干后的带二氧化硅层硅片置于扩散炉管内，通过N2作为载体导入扩散炉管，以三氯氧磷作为扩散源，进行磷离子扩散；采用湿化学刻蚀法去除扩散后硅片边缘及背面的PN结，完成后用酸去除硅片表面磷硅玻璃；使用等离子化学气相沉淀法对刻蚀后的硅片镀减反射膜；套印、烧结。本发明方法缩短了传统的二次扩散法制备选择性发射极电池的制作周期，使得设备投入降低，成品转化效率提升。

主权项

一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选用P型硅片，采用硅片制绒工艺对其进行表面去损伤层及织构化；(2)将步骤(1)制绒后的硅片完全浸泡在有机硅凝胶溶液中使二氧化硅附着于硅片上；(3)选择性去除硅片二氧化硅层，并清洗、烘干带二氧化硅掩膜硅片；(4)将步骤(3)烘干后的带二氧化硅层硅片置于扩散炉管内，通过N2作为载体导入扩散炉管，以三氯氧磷作为扩散源，进行磷离子扩散；(5)采用湿化学刻蚀法去除扩散后硅片边缘及背面的PN结，完成后用酸去除硅片表面磷硅玻璃；(6)使用等离子化学气相沉淀法对刻蚀后的硅片镀减反射膜；(7)套印、烧结。